铝碳化硅在封装领域的应用前景
封装外壳主要是对芯片和引线框架起到密封和保护的作用,通常需要具有与芯片相匹配的热膨胀系数,散热性较好且与内部器件的黏结性较好。常见的封装外壳材料有塑料、金属、陶瓷。目前,铝碳化硅凭借其突出的优点:密度低、高比刚度、低热膨胀系数、高导热率等,成为主要的金属封装形式。
铝碳化硅封装材料的开发成功,标志着我国企业不再是在封装领域内一个单纯的蓝领和加工者的角色,而是已经有了自己的技术内核的封装产品,填补了国内的空白,在封装领域内是一项巨大的技术进步。就如,铝碳化硅可以很好地代替过去以可伐(Kovar)材料作为器件封装外壳的地方,使得产品重量减少了原来的三分之一,导热性能增加为原来的十倍。此外,优越的性能还使铝碳化硅比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等现用封装材料具有更广阔的使用空间。
由此可见,铝碳化硅在封装领域的应用前景,非常值得我们期待。
粉末冶金法制备铝基复合材料
20世纪60年代以来,颗粒增强铝基复合材料的制备工艺不断得到改进,因为颗粒和基体合金的种类、物理化学性能的不同,铝基复合材料的制备方法很多,分类方式也不尽相同。一般,较为常见的制备方法主要有原位生成法、粉末冶金法、机械搅拌法、挤压铸造法、喷射沉积法、浸渗法等。今天,瀚银光电小编具体为大家介绍下粉末冶金法。
粉末冶金法是制备颗粒、晶须、短纤维等非连续增强金属基复合材料的主要工艺方法之一。其工艺过程是先将基体金属粉末和增强体(颗粒或晶须)均匀混合,经压制和烧结成复合坯料,再经过热压、挤压、锻造等热加工工艺,制备出非连续增强金属基复合材料零件。
这种工艺方法适合用于制备高性能的碳化硅颗粒增强铝基、铜基、银基等复合材料,也可用混合均匀的金属基体和增强体复合粉末,经热压或等静压制成复合材料零件。
该方法的缺点则在于材料容易出现气孔,致密度不高。因此,必须通过挤压、轧制或热处理等工艺进行二次处理以改善其致密度及机械性能。此外,粉末冶金制备工艺比较繁琐,通常需要密封、真空或者保护气氛的工作条件,而且烧结温度选择不当会导致偏析。
铝基碳化硅的相关介绍
随着现代科学技术的快速发展,铝基碳化硅这一新型材料在各个领域广泛应用,但它具体是什么呢?相信大家对此并不了解,下面,瀚银光电小编就为您简单介绍一下,感兴趣的朋友来学习下吧!
它是在金属基复合材料中应用非常广的一种。由于铝合金基体为面心立方结构,因此具有良好的塑性和韧性,再加之它所具有的易加工性、工程可靠性及价格低廉等优点,为其在工程上应用创造了有利的条件。在制造铝基碳化硅时通常并不是使用纯铝而是用各种铝合金。这主要是由于与纯铝相比铝合金具有很好的综合性能,至于选择何种铝合金作为基体,则往往根据对复合材料的性能需要来决定。
同时,铝基碳化硅各项性能优异,具有很多突出的优点:密度低、高比刚度、低热膨胀系数、高导热率等,非常适用于高稳定性光机系统。例如:(1)高结构稳定性(静刚度、动刚度):弹性模量是钛合金的2倍,铝合金的3倍,比刚度是铝合金、钛合金的3倍;(2)高热控稳定性:热膨胀系数可以比钛合金低20%,导热率是钛合金的30倍。因此铝基碳化硅已成为代替其他合金的理想材料。
关于铝基碳化硅的知识,小编就为大家分享到这里了,如有疑问,可随时联系河南瀚银光电科技股份有限公司。