江门市电路板蚀刻(2023更新成功)(今日/说明)

楼主:宏冠化工 时间:2023-02-08 08:12:33
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江门市电路板蚀刻(2023更新成功)(今日/说明), 存储技术方面,在本月召开的半导体融合部件安装技术和电子材料研讨会上,星电子宣布下一代DDR6将应用MSAP(半加成法)技术。MSAP制程的特点是图形在形成过程主要为依靠电镀、闪蚀处理,而在闪蚀过程所蚀刻化学铜层相当地薄,因此,蚀刻耗时相当短,较不会产生电子电路线路侧向蚀刻问题。星电子表示,随着存储半导体性能的提高,封装技术也必须同时发展,部分竞争对手已经在DDR5产品中应用了MSAP技术,星将在DDR6产品中也将导入MSAP技术。

已经提出了几种方法来使蚀刻厚度和图案尺寸可控。诸如SiO2或Si3N4的蚀刻掩模,因为方向相差两个数量级。是常见的阻止硅蚀刻的方法。时间控制是停止硅腐蚀的廉价和方便的方法。这种方法有两个主要缺点。首先,不能计算溶液中硅的蚀刻速率。其次,表面粗糙度不如其他两种蚀刻停止方法。但是,如果不需要的蚀刻厚度,这种方法很好使用。

江门市电路板蚀刻(2023更新成功)(今日/说明), 对于IC制造,常用的蚀刻技术包括湿法蚀刻、等离子体蚀刻和反应离子蚀刻,其中大多数可用于硅蚀刻。是圆形的,并且每个平面的蚀刻速率相同。硅+硝酸+6HF h2sif 6+硝酸+ H2O + H2。该反应是一个两步过程。首先,用硝酸氧化硅衬底。之后,HF溶液中的氟离子形成可溶性硅化合物H2SiF6。下一步是使用乙酸来防止硝酸分解。硅晶片的取向和掩模图案的形状决定了终的蚀刻形状。硅的定向湿法蚀刻在微电子学中的应用得到了很好的发展。首次发现EDP可用于硅各向异性腐蚀。

每个实验的蚀刻时间为10分钟。4显示了不同温度下蚀刻硅的SEM图像。5显示了鳍片之间蚀刻区域的AFM图像。从SEM图像中我们看到,由于硅的各向异性蚀刻,在所有情况下都获得了垂直侧壁。由于光刻偏置和蚀刻偏置引起的底切,鳍比掩模上的图案窄。

江门市电路板蚀刻(2023更新成功)(今日/说明), 在所有无机碱性溶液中,KOH常用于各向异性蚀刻。然而,由于EDP是致癌的,并且KOH在溶液中含有钾,这与ic生产不相容,TMAH由于其低污染和而受。湿法腐蚀湿法蚀刻是一种纯化学反应。蚀刻剂分子移动到晶片表面,表面和晶片之间发生化学反应,反应产物远离晶片。氧化硅湿法蚀刻是常见的湿法蚀刻工艺,通过将氧化硅浸泡在稀释的HF中一段时间。缓冲HF-改良是典型的蚀刻溶液之一。1的40% NH4F水溶液和49% HF水溶液混合而成。缓冲氢氟酸的腐蚀速率为200纳米/分钟。湿法刻蚀也是刻蚀硅的常用方法。如上一节所述,TMAH、KOH、EDP都可以用作湿法蚀刻溶液。蚀刻停止技术对于各向异性蚀刻,有时需要相应器件的特定厚度。

湿法蚀刻是通过使用液体化学物质或蚀刻剂从晶片上去除材料的过程。特定图案由晶片上的掩模限定。没有被掩模保护的材料会被液体化学物质腐蚀掉。使用光刻技术在晶片上沉积和构图这些掩模。湿法刻蚀工艺涉及多个化学反应,消耗原有反应物,产生新的反应物。湿蚀刻剂通常是各向同性的,并且它们在厚膜蚀刻期间导致较大的偏差。它们还需要处理大量有毒废物。这种蚀刻方法在“后端”处理(BEOL)之前特别有效,在该处理中,晶片在晶片背面研磨之后通常非常薄,并且对热或机械类型的应力非常敏感。蚀刻几微米的非常薄的层将去除在背面研磨过程中产生的微裂纹,导致晶片具有显著增加的强度和柔性。

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